生产厂家：浙江定力防爆科技有限公司
供应型号：DFC-8103B
供应名称：抗老化80W-LED免维护防爆灯 LED防爆灯
适用范围：
◆广泛用于热电厂、发电厂、加工厂、化工厂、化学品车间、危险品仓库、港口、厂区等危险环境作普通照明和作业照明使用需要;
结构性能：
◆外壳采用优质铝合金压铸成型，强度高，表面高压静电喷塑和密封工艺能防雨淋、喷水;灯具外壳永不腐蚀、生锈，耐腐蚀性强，防腐等级达到WF2;
◆灯具各结合面间均设置了良好的密封结构，密封圈均采有硅橡胶材料，耐高温、抗老化，外壳防护等级达到IP66;
◆外壳结构采用螺旋曲面中间镂空结构，增加了散热面积且有利于空气流通，增加空气对流，整防爆灯具有散热性能;
◆光源腔内置多颗led灯珠组成，具有超长使用寿命、发光效率高；采用纳米反光杯罩大大提高灯具使用效率，光效更高、整灯亮度更高。
◆灯具标配U型固定支架，仰角在90°～60°内可调节；吸顶式(x)、壁挂式(b)、吊杆式(g)、护栏式(f)、法兰式(h) 及弯杆式等多种方式您的安装需要;
芯片，是LED的核心部件。目前国内外有很多LED芯片厂家，然芯片分类没有统一的标准，若按功率分类，则有大功率和中小功率之分;若按颜色分类，则主要为红色、绿色、蓝色三种;若按形状分类，一般分为方片、圆片两种;若按电压分类，则分为低压直流芯片和高压直流芯片。国内外芯片技术对比方面，芯片技术新，国内芯片重产量不重技术。
衬底材料和晶圆生长技术成关键
目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底材料以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前LED芯片研究的焦点。目前，市面上大多采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓，这两种材料都非常昂贵，且都为大企业所垄断，而硅衬底的比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多，可制作出尺寸更大的衬底，提高MOCVD的利用率，从而提高管芯产率。所以，为突破专利壁垒，中国研究机构和LED企业从硅衬底材料着手研究。
但问题是，硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点，两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。无疑，从衬底角度看，主流衬底依然是蓝宝石和碳化硅，但硅已经成为芯片领域今后的发展趋势。对于战相对严重的中国来说，硅衬底更有成本和优势：硅衬底是导电衬底，不但可以减少管芯面积，还可以省去对氮化镓外延层的干法腐蚀步骤，加之，硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低，在加工方面也可以节省一些成本。
在，欧司朗、美国普瑞、日本三垦等一流企业已经在大尺寸硅衬底氮化镓基LED研究上取得突破，飞利浦、韩国三星、LG、日本东芝等LED巨头也掀起了一股硅衬底上氮化镓基LED的研究热潮。其中，在2011年，美国普瑞在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED，取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上水平的LED器件性能相媲发光效率160lm/W;在2012年，欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。
反观中国内地，LED芯片企业技术的突破点主要还是提高产能和大尺寸蓝宝石晶体生长技术，除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外，中国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研究上无大的突破，目前中国内地LED芯片企业还是主攻产能、蓝宝石衬底材料及晶圆生长技术，三安光电、德豪润达、同方股份等内地芯片巨头也大多在产能上取得突破。
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