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传统的高压电机驱动器会采用三相逆变器，其中Si IGBT集成反并联二极管。三个半桥相位驱动逆变器的相应相线圈，以提供正弦电流波形，随后使电机运行。逆变器中浪费的能量将来自两个主要来源-导通损耗和开关损耗。用基于SiC的开关代替Si基开关，可减小这两种损耗。
SiC肖特基势垒二极管不使用反并联硅二极管，可集成到系统中。硅基二极管有反向恢复电流，会造成开关损耗(以及产生电磁干扰，或EMI)，而SiC二极管的反向恢复电流可忽略不计。这使得开关损耗可以减少达30%。由于这些二极管产生的EMI要低得多，所以对滤波的需求也不会那么大(导致物料清单更小)。还应注意，反向恢复电流会增加导通时的集电极电流。由于SiC二极管的反向恢复电流要低得多，在此期间通过IGBT的峰值电流将更小，从而提高运行的可靠性水平并延长系统的使用寿命。
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